客户定制芯片电阻，极低的噪声和TCR，噪声不超过-20DB，TCR低至±10ppm/℃，电压≤100V，功率≤0.25W，阻值接受定制

频率最高达24Ghz，Vb≥100V，精度0.5%~20%，容值可定制，并可提供二进制电容矩阵芯片，可提供chip，vial pack，wafer form等多种封装形式

MSPD系列，2Ghz~24Ghz范围，Vb可达100V，PS-99封装，可接受定制

MSL系列，Vb范围2V~5V，Vf范围0.25V~0.32V，Cj范围0.08pF~0.14pF，PD@25℃=250mW；
MSM系列，Vb范围3V~6V，Vf范围0.35V~0.45V，Cj范围0.08pF~0.14pF，PD@25℃=250mW；
MSH系列，Vb范围4V~8V，Vf范围0.475V~0.55V，Cj范围0.08pF~0.14pF，PD@25℃=250mW；
MBZ系列，Vb范围3V~5V，Vf范围0.3V，Cj范围0.2pF~0.4pF，PD@25℃=100mW，窄带应用；
MGS通用系列，Vb范围8V~70V，Vf范围0.34V~0.41V，Cj范围1pF~2pF，PD@25℃=100mW；

MLD系列，频率100MhZ~20Ghz，设计灵活，适用于各种低（低Vb快turn-on time），中，高（高Vb快turn-on time）功率限幅器应用.

MSR系列，Vb范围25V-1500V，Cj-10低至0.03pF，TS低至1ns,可提供各种封装形式.

MSR系列，适用于中低功率频率倍增电路，输出频率可达20Ghz,2-6倍，Vb从10-60V，各种容值可供选择。

输出频率150MHZ~10Ghz，2倍或3倍频应用，可以提供各种封装。