代理产品

EVERSPIN

 

 

Everspin Technologies, Inc.

Everspin Technologies股份有限公司总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造和商业运输离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转移扭矩MRAM(STT-MRAM)方面处于全球领先地位,进入数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用。凭借超过1.2亿MRAM和STT-MRAM产品部署在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场,Everspin已经建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

 

 

MRAM的核心竞争力:从垂直到领域转换

Everspin在磁存储器设计、制造和交付相关应用方面的知识和经验在半导体行业是独一无二的。凭借600多项有效专利和申请的知识产权组合,Everspin在平面内和垂直磁性隧道结(MTJ)STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。

 

 

制造-交付能力

2014年,Everspin与GLOBALFOUNDRIES合作,在包括40nm、28nm及以上的先进技术节点上,全交钥匙300mm大批量生产平面内和垂直MTJ ST-MRAM。此外,Everspin在亚利桑那州钱德勒拥有并运营一条集成磁性制造线,Everspin在那里生产基于180nm、130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。产品包装和测试业务遍布中国、台湾和其他亚洲国家。